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    云顶集团 碳化硅单晶衬底
    衬底电学性能决议了下游芯片功效与性能的优劣，为使质料能知足差异芯片的功效要求，需要制备电学性能差异的碳化硅衬底。
    an照电学性能的差异，碳化硅衬底可分为高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底，和低电阻率的导电型碳化硅衬底。

    4H n-type

    4H-导电型碳化硅单晶衬底

    4H-导电型碳化硅单晶衬底产物信息详情

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    4H Semi-Insulating-type

    4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底

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